華邦電焦佑鈞:高雄新廠前3年為資本支出高峰 2023年回歸穩健

出版時間 2021/08/12
華邦電董事長焦佑鈞。公司提供
華邦電董事長焦佑鈞。公司提供

記憶體大廠華邦電(2344)高雄新廠預計明年第4季正式量產,初期月產能1萬片。董事長焦佑鈞今於股東會後接受媒體聯訪時表示,高雄新廠一開始的前3年將是資本支出的高峰期,2023年之後,資本支出就會呈現穩健向前。

焦佑鈞表示,從去年第4季以來,到現在持續供應不足,對於客戶來說,是很痛苦的事情,客戶也很關心新廠何時完成,以滿足長期的需求,雖然但蓋新廠會很花錢,初期投資感受很大,從去年(2020年)、今年(2021年)到明年(2022年),將是資本支出的高峰期,2023年之後,資本支出的趨勢就會呈現穩健向前。

焦佑鈞進一步說,對於華邦電而言,記憶體比較單純,是比較小容量的產品,在這個經營理念之下,需要開發先進製程、持續技術發展,滿足客戶的需求,以維持競爭力與生存條件,但只靠製程的提升是不夠的,所以必須靠蓋新廠的方式增加產能。

華邦電總經理陳沛銘表示,很多客戶都很期待華邦電高雄廠的量產,預計明年第4季開始有小量產出,月產能1萬片,將導入下一代25 s奈米製程,每片晶圓不但可以大幅增加40%的位元產出,且良率表現得非常的好。

從DRAM來看,陳沛銘也說,目前並沒有新的產能開出,即便有新產能開出來,都會以DDR4、DDR5為主,但是使用介面的改變,不會馬上就發生了,還有很多的產品應用都非常需要DDR3,很多客戶都跟我們要更高容量的產品,所以公司產品的發展會往2Gb、4Gb的產品邁進,而且現在DDR3 2Gb的賣價甚至比DDR4還要高。

華邦電今年上半年的毛利率突破了40%,表現亮眼,陳沛銘表示,毛利率大舉攀升,主要受惠於產品組合以及價格上漲,目前DRAM 25奈米的產出比重不斷提升,已達到50%,而NOR Flash等產品報價上揚也扮演推手。

華邦電DRAM 25奈米製程之量產規模與良率去年開始顯著提升,下一代製程 D25s 的開發也按進度進行,預計明年進入量產,為華邦長遠的發展奠定良好的基礎與成長動能。

Flash 製程方面,華邦電順應市場未來高容量需求,持續進行 NOR Flash 45奈米製程開發,期望以厚實的核心技術,提高產品附加價值,為 華邦和客戶帶來與時俱進的科技競爭力。

華邦電接軌工業4.0,持續優化中科12吋廠的產能與製程,發揮硬體優勢與軟體價值,使中科廠月產能於去年由5.4萬片提升至 5.7萬片。

華邦電去年亦成立數位轉型委員會,持續精進智能化生產的目標。硬體方面,華邦 利用物聯網及感測技術連結,建構高度客製化、智慧化的生產模式,製造少量多樣的產品 ; 軟體部份,華邦結合雲 端運算及大數據分析,並運用AI工具優化製造與服務流程,將投入與產出最佳化,成為客戶長期且值得信賴的夥伴。(楊喻斐/台北報導)