恩智浦宣布將整合氮化鎵（GaN）技術至恩智浦多晶片模組平台，此為5G效能領域的重要產業里程碑。業者提供
第三代化合物半導體發展正火熱，半導體大廠恩智浦首度將氮化鎵導入5G多晶片模組，應用於5G基礎設施，效率提高8%，創下產業重要里程碑，預計今年第3季正式送樣，今年底前投入量產。
恩智浦宣布將整合氮化鎵（GaN）技術至恩智浦多晶片模組平台，此為5G效能領域的重要產業里程碑。
恩智浦位於美國亞利桑那州的氮化鎵晶圓廠為美國專門製造射頻功率放大器最先進的晶圓廠，基於對該晶圓廠的投資，恩智浦率先推出5G大規模MIMO射頻解決方案，該解決方案結合了氮化鎵的高效率與多晶片模組的緊湊性。
恩智浦表示，降低能源消耗（energy consumption）為電信基礎設施的主要目標之一，其中每一點效率都至關重要。在多晶片模組中使用氮化鎵可在2.6 GHz頻率下將產品組合效率提高至 52%，比公司上一代模組高出8%。
恩智浦透過在單個裝置中採用專利組合LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor）和氮化鎵技術，進而提高效能，可提供400 MHz的瞬時頻寬，僅用一個功率放大器即可完成寬頻射頻設計。
恩智浦小尺寸5G多晶片模組現在可實現上述能源效率和寬頻效能。全新產品組合將使射頻開發人員減少無線電單元的尺寸和重量，幫助行動網路營運商降低在蜂窩式基地台和屋頂部署5G的成本。
恩智浦開發了專用於5G基礎設施的獨特技術工具箱（toolbox），包括專有的LDMOS、氮化鎵和SiGe以及先進封裝和射頻設計IP，能夠運用每個元件的優勢，並針對每個使用情境以最佳方式將這些優勢結合在一起。（楊喻斐／台北報導）
