3D NAND Flash高層數競爭白熱化！Western Digital與鎧俠株式會社（Kioxia）宣布完成第六代162層的3D快閃記憶體（BiCS6）技術開發，為雙方20年的合作關係立下一個全新里程碑。
鎧俠技術長Masaki Momodomi表示，鎧俠和Western Digital長達20年緊密的合作關係，展現出強大的製造與研發能力，在全球製造30%以上的NAND Flash快閃記憶體，產品應用遍及個人電子裝置、資料中心，以及5G網路、人工智慧和自動系統支援的新興產業。
Western Digital技術與戰略總裁Siva Sivaram表示，摩爾定律於半導體產業已接近其物理極限，但在快閃記憶體的技術演進卻仍能依循摩爾定律發展。針對新一代的產品， Western Digital和鎧俠採用創新技術於垂直和橫向擴充，成功達成在更少層、更小晶粒中提供更大容量，並滿足客戶對效能、穩定性與成本的要求。
第六代3D快閃記憶體擁有超越傳統八維堆疊儲存通孔陣列的先進架構，橫向儲存單元陣列密度較第五代技術大幅提升10％；此橫向擴充的先進技術與162層堆疊垂直記憶體結合，使每晶粒尺寸相比112層堆疊技術減少40％，達到最佳成本效益。
Western Digital和鎧俠團隊於第六代3D快閃記憶體上亦採用Circuit Under Array CMOS和4-plane架構，相較於上一代產品，程式效能提升近2.4倍，讀取延遲降低10%。而I/O效能亦可提升66%，使新一代介面可滿足日益增長的快速傳輸速率需求。
整體而言，全新3D快閃記憶體技術與上一代相比，不僅降低每單位的成本，也使每晶圓可製造的晶粒數增加70%。Western Digital和鎧俠將持續推動創新技術以擴充記憶體容量，滿足客戶及其多樣的應用需求。（楊喻斐／台北報導）
