《日經亞洲評論》披露，中國最大記憶體晶片製造商長江存儲（YMTC）計劃今年增產1倍，並開始試產3D NAND快閃記憶體晶片等先進產品，追趕三星電子（SAMSUNG）等全球領先同業。若長江存儲的計劃進展順利，將成為近年來實現中國在本土建立完整半導體供應鏈目標最重要的一步。
2位消息人士向《日經》表示，以武漢為大本營的長江存儲，計劃在2021上半年將記憶體晶片每月產能擴增1倍，達到10萬片晶圓，相當於全球記憶體晶片總產量的7%上下。
這將有助於才成立不滿5年的長江存儲，縮減和市場領先業者的差距。目前全球最大NAND快閃晶片製造商三星電子，月產能約48萬片晶圓；美國最大記憶體晶片製造商美光（Micron），月產能約18萬片。
而且除了拉高現有晶片產能，長江存儲正加快技術發展腳步，以期挑戰三星電子和其他領先業者，如日本鎧俠（KIOXIA）、韓廠SK海力士（SK Hynix）及美商美光等。
消息來源另透露，長江存儲最快將於2021年中展開192層3D NAND快閃晶片試產，將是中國半導體業者首次試產這類晶片。目前長江存儲已有能力生產64曾與128層3D NAND晶片。
NAND晶片用途甚廣，是從智慧手機、個人電腦（PC）到伺服器、聯網汽車等幾乎所有運算裝置的記憶與儲存關鍵元件，但現行NAND市場產能為少數幾家半導體業者所掌控。
NAND晶片堆疊層數愈多，成本效益就愈高，但研發和生產難度也會隨之上升。如三星、美光等市場一流供應商，目前仍在開發176層3D NAND晶片，而當前可量產的最先進版本為128層NAND晶片。
這意味長江存儲對192層3D NAND晶片的試產若成功，中國記憶晶片業將有望實現「彎道超車」。不過，消息來源向《日經》表示，試產計劃仍有可能會推遲至2021下半年，因為這類晶片要兼顧量產與品質需要花費時間。但即使是推遲到下半年，這也代表著中國半導體業的一大突破。
1位消息來源說：「就增產的部分而言，從2020年第3季以來，長江存儲一直忙於引進與安裝所有必要的晶片生產設備與擴大生產線。目前該公司同時生產64層與128層3D快閃記憶體晶片，但將逐步將更多產能轉向後者。」
2016年7月成立的長江存儲，為紫光國芯與武漢新芯2家公司合併而成，是由中國官方與紫光集團合資設立，獲中國國家集成電路產業投資基金股份有限公司（大基金）大力扶持，被視為中國「國家存儲器基地」項目。
根據日經的消息來源，長江存儲的客戶包括中國聯想集團（Lenovo）和華為（HUAWEI），華為的基地台採用了長江存儲生產的晶片。另外，長江存儲2020年推出了首款消費者等級固態硬碟產品致鈦（ZHITAI）。
長江存儲是實現中國建立本土半導體產業鏈野心的一大推手。在長江存儲成立前，沒有中國半導體廠有能力生產3D NAND晶片。自從2019年長江存儲成功產出64層NAND晶片後，已協助降低了中國長久來對外國製記憶體晶片的依賴。
而且長江存儲的存在已然動搖了NAND快閃記憶體晶片市場。2020年英特爾（intel）將NAND快閃晶片業務出售給SK海力士時，一些市場觀察家認為，此舉代表英特爾希望能迴避預期中將來自中國半導體廠的激烈競爭。（劉利貞／綜合外電報導）
