記憶體廠股東會旺季即將到來，本周開始由旺宏（2337）打頭陣，南亞科（2408）也將於本周四舉行股東會，華邦電（2344）預計6月12日股東會，3家台系記憶體廠對於下半年的營運展望備受關注。
南亞科董事長吳嘉昭在致股東營業報告書中提到，南亞科已成功自行開發出10 奈米級DRAM記憶胞設計，使將來的DRAM產品可持續微縮至少3個世代，並以自主的製程及產品技術平台，開發第一代的10奈米級前導產品DDR4及 DDR5，預計於今年下半年後陸續進入產品試產，並將為明年量產作準備，第二代的10 奈米級製程技術目前已進入研發階段，預計在2022年以前導入試產。
南亞科去年優化20奈米產品組合上，持續推廣8Gb DDR4產品，取得伺服器與一線資料中心客戶的認證，提高出貨到伺服器市場的佔比。
另外，南亞科去年下半年推出20奈米的 4Gb/8Gb LPDDR3、2Gb/4Gb/8Gb LPDDR4/4X 等低功率產品，取得客戶驗證並開始出貨；未來將推廣至智慧型手機、智慧穿戴、智慧語音、低耗能攜帶型電腦及高速SSD等應用市場。
為了強化與福懋科技公司在未來產品工程、封裝及測試等方面的策略合作， 提升整體營運績效，並提高現金資產投資報酬率，南亞科去年底再次取得福懋科約 13%股權，累積持股達到32%。
旺宏今年為疫情受惠概念股之一，尤其來自於5G基地台、遊戲機等訂單湧入，還有醫療急單也推升了8吋晶圓廠產能滿載。旺宏董事長吳敏求重申並看好高階產品未來將供不應求，同時也透露，第2季的營運表現值得期待。法人表示，隨著稼動率滿載、價格上揚，旺宏獲利表現將再往上提升，毛利率有機會挑戰35%的水準。
市場非常關心旺宏布局3D NAND Flash的進度，吳敏求表示，去年成功開發3D NAND技術，48層128 Gb 產品且獲得客戶採用，預計今年下半年量產。旺宏規劃以87億元之資本支出全力投入3D NAND製程技術及產品之研發， 並將持續朝向192 層堆疊技術推進。
華邦電高雄12吋廠的進度也受到關注，董事長焦佑鈞先前對外表示將先暫緩腳步。焦佑鈞表示，去年25奈米製程已進入量產，華邦電將持續投入自有先進技術開發，預期在20奈米的DRAM新製程良率具 備生產效益時，進入規模量產。
焦佑鈞在致股東營業報告中書提到，中科廠月產能已提升至5.4萬片，將運用工業4.0、智慧製造實力和彈性生產特性，持續提升中科廠產能，以期用最少的投入極大化現有產能，進一步提升在記憶體產業的市佔率及市場地位。
在產品研發上面，華邦電繼推出低功耗的NOR Flash 之後，進一步發表具備高速度及高品質特性的 SLC NAND，以增加產品的應用領域。在DRAM部份，開發新一代具獨特省電功能的 LPDDR4 產品，運用低功耗、高頻寬和 更佳資料傳輸率等特性來提升產品效能。另外，亦跨足低腳數且易於設計應用的 HyperRAM，顯著提升物聯網終端裝置及人機介面裝置效能。
華邦電去年已導入25奈米製程量產，預期在20奈米的DRAM新製程良率具備生產效益時，進入規模量產。Flash製程方面，順應市場未來高容量需求，持續進行45奈米NOR Flash 產品開發。（楊喻斐／台北報導）
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