記憶體產業擺脫低潮，明年可望重啟漲價契機，除了NAND Flash（儲存型快閃記憶體）景氣率先翻揚之外，DRAM（動態隨機存取記憶體）儘管較為落後，不過隨著供應商的庫存持續去化，明年也可望恢復漲勢。在NOR Flash（編碼型快閃記憶體）的部分，受惠於Appple airpods等穿戴式裝置需求激增，推升NOR Flash需求在淡季之中逆勢成長。
這一波記憶體漲勢由NAND Flash率先領軍翻揚，大容量、SSD等需求暢旺，而DRAM相對落後，主要因為供應商庫存過高，以及資料中心、伺服器端的需求不如預期、英特爾缺貨造成PC需求遞延等影響，雖然短期面臨逆風，不過業者對於長線需求都正面看待。
隨著記憶體市況逐漸好轉、價格持穩，從記憶體模組廠的獲利表現即可以感受得到，包括威剛、創見、廣穎、宇瞻、十銓等業者今年第3季的獲利都明顯回升，威剛季增2.6倍多，回升幅度最強勁，其次為廣穎季增2倍多，宇瞻季增幅度高達8成、創見季增25%等。
以記憶體模組廠今年前3季的每股獲利排名來看，深耕工控領域的宜鼎，每股盈餘達9.84元居冠，其次為威剛3.19元、創見3.09元、宇瞻2.74元、廣穎1.31元、十銓0.51元。業者認為，第4季是歐美傳統銷售旺季，整體的營收表現可望維繫第3季的水準，預料未來工控、電競等應用，將成為主要的成長動能。
從近期的DRAM現貨價觀察，表現趨於穩定，進入11月之後，合約價的跌幅收連，跌幅落在2~4%之間。目前業界的共識就是預料明年第1季之後，DRAM合約價將有機會觸底反彈。
針對近期可能影響供給面的市場消息，如三星計畫重啟擴產，以及中國DRAM廠2020年增加投片等，集邦諮詢認為，三星明年上半年暫無增加投片的打算，目前的資本支出規劃僅為購入新機台，用於轉進1Znm制程。而SK海力士近期重申將減少明年度的資本支出，代表明年的供給位元年成長將較今年趨緩；美光半導體雖未正式宣布明年的資本支出規劃，但預估也會較今年保守。
在中國DRAM產業發展上，雖然合肥長鑫已宣佈將於年底正式導入量產，但初期產能規劃仍非常保守，預估真正放量最快也要到明年年末，且中國DRAM產業整體良率提升需要一段時間的學習曲線，對於2020年整體DRAM產業的位元供給成長貢獻有限。
南亞科總經理李培瑛指出，全球經濟景氣仍有不穩定現象，但 DRAM 大廠庫存已去化至健康水位，加上大廠持續調節庫存，明年資本支出也相對保守，有機會帶動明年價格反彈，但確切的時間點，得視大廠庫存去化情形，他認為，最快明年第 1 季就可望出現價格反彈力道。（楊喻斐／台北報導）
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