隨著各大車廠紛紛投入電動車市場，攸關電能轉換效率的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣閘雙極電晶體)功率半導體也炙手可熱！瞄準此潛力市場，工研院與強茂於今簽約，工研院以其所開發的IGBT智慧功率模組，與強茂宣示產研攜手共同建立IGBT智慧功率模組試量產線，運作上可較傳統產品降低40%熱阻、降低晶片運作中的溫度達20°C，前進電動車龐大市場。
工研院副院長張培仁表示，電動車動力系統有別於傳統燃油車改以電氣化驅動，促使每輛汽車的半導體元件大幅增加，尤其是功率半導體元件，其中，IGBT具有高頻率、高電壓、大電流，易於開關等優良性能，被業界譽為功率變流裝置的「CPU」。然而，國內過去缺乏IGBT模組自主的技術能量，讓相關廠商往往只能尋求與國際模組大廠合作以切入電動車市場。
工研院發展獨特的智慧功率模組核心，以厚實的研發基礎及產業經驗，成功開發IGBT智慧功率模組，可應用於變頻家電壓縮機、工業馬達，以及電動載具馬達驅動，展現工研院在5+2產業創新中晶片與半導體的研發成果，希望藉此並可建立台灣IGBT功率模組自主技術能量同時擴展台灣產業市場影響力。
強茂表示，隨著電動汽車市場的成長，電源模組正在成為價值鏈中的關鍵部分，2013年以後，大中華市場為強茂未來重點發展重點區域，強茂公司規劃IGBT產品可望在2019年跨入電動摩托車領域，為公司搶攻車用IGBT奠定基礎。看好IGBT應用與因應國際化轉型，強茂與工研院合作IGBT功率模組開發，並在2019年第1季設立IGBT模組試量產線，成為大中華區唯一能提供客戶IGBT從晶片到模組整體解決方案的供應商，逐步拉近與歐美國際大廠技術距離。
工研院在功率模組技術研發已經深耕超過8年，工研院電光系統所所長吳志毅表示，在經濟部科技專案支持下，工研院所開發的IGBT智慧功率模組，透過電腦輔助工程軟體分析，相較於傳統陶瓷基板架構的模組，改善了40%的熱阻，並大幅降低運作中的溫度，以提升電能轉換運作過程中之系統穩定性與轉換效率，其效能及可靠度均與國際大廠產品並駕齊驅。
工研院與強茂將藉由此次的合作，建立自主IGBT模組設計、封裝、測試等技術能力，並將朝向大功率電力電子應用模組產品持續邁進，希望藉此並可建立台灣IGBT功率模組自主技術能量，同時擴展台灣產業市場影響力。（蕭文康／台北報導）
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