紫光集團南京廠動土 進軍記憶體市場

出版時間 2017/02/14
紫光集團董事長趙偉國。取自官網
紫光集團董事長趙偉國。取自官網

中國半導體產業正如火如荼的展開,紫光集團旗下的南京半導體產業基地與紫光IC國際城的項目於2月12日正式動土,預計最快將有機會於2018年下半年進入試產的行列,南京廠將專攻記憶體產品,包括3D NAND Flash、DRAM等。
 
紫光集團進軍半導體製造動作積極,繼去年年底武漢長江存儲項目正式開工之後,南京廠也於日前正式動土,將有機會於2018年下半年陸續導入試產。
 
中國為了掌握自有記憶體技術,全力扶植當地產業發展,據紫光集團提供的資料顯示,南京廠占地達1500畝,第一期投資金額為100億美元,月產能規劃為10萬片,預計總投資金額將高達300億美元,換算台幣9300億元。
 
另外,紫光還將投資約300億人民幣相關配套的IC國際城,包括科技園區、設計封裝測試基地、國際學校、商業設施、國際人才公寓等綜合配套設施。這次紫光集團南京半導體基地的投資案,堪稱為中國本土企業最大手筆的半導體投資。(楊喻斐╱台北報導)


 


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