創意電子總經理賴俊豪(圖)表示，16奈米IP是目前採用台積電16FF製程技術最快速的IP。資料照片
創意電子（3443）今宣布，DDR4矽智財（IP）採用台積電（2330）16奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程技術，並成功通過晶片驗證，為創意第1個16奈米IP。
創意指出，16奈米DDR4實體層（PHY）IP運作速度達每秒3.2Gb，較DDR3的IP提高了50%，且同一速度的功耗降低了25%，16奈米DDR4 PHY IP與DDR4動態隨機存取記憶體連接時，在同一速度下，可較同一規格的28奈米DDR3 IP降低40%核心功耗。
創意總經理賴俊豪表示，此1個16奈米IP代表真正設計的突破，這是目前創意電子採用台積電16FF製程技術最快速的IP，也代表先進技術設計人員能夠儘快展開新一代裝置設計工作的絕佳良機。（蕭文康／台北報導）
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