隨著中國IC設計廠陸續轉進16奈米製程，外資認為，恐對台灣前5大IC設計廠帶來壓力。資料照片
聯發科64位元4G智慧手機晶片方案、穿戴平台以及人機介面的指紋辨識逐步到位，成功縮短與競爭對手高通的差距，但面對中國有意扶植上游半導體和IC（Integrated Circuit，積體電路）設計廠的相關政策出爐，外資和IC Insights專家關注聯發科與中國廠商轉進先進製程速度的差距。
巴克萊證券指出，根據與會的IC設計廠商等專家調查，中國IC設計廠的客戶多數從28奈米Poly SiON 和HKMG後閘極製程(gate-last)技術後，跳過台積電的20奈米，直接轉進16奈米FinFET（鰭式場效電晶體）/FinFET+製程。
巴克萊證券說明，中國IC設計廠商搶進先進製程的策略，讓中國廠商如海思、展訊、瑞芯微、全志威脅性加劇，如果聯發科無法在2015年底前轉進16奈米FinFET+製程，恐對聯發科2016年帶來影響，也連帶將使未來前5大台灣IC設計廠商，面對中國廠商加速先進製程的壓力顯現。
在4G新產品及產業後市方面，花旗環球證券表示，中國手機品牌廠商華為、聯想、TCL、酷派、中興及小米等，在下半年總計推出超過100款4G行動終端新產品，因此高通仍在4G LTE晶片市佔中享有主要優勢，加上展訊在3G多核心晶片方案已進攻印度、東南亞等市場，加上展訊4核心晶片有相當的競爭力，因此聯發科未來不僅在4G市佔率，甚至具備相當優勢的3G市佔率，都須嚴加戒備，避免市佔流失。
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